单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供了一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法。本发明将包括一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备，包括制备掺杂铜的Cu:InP量子点核(d‑Core)，包括制备ZnS屏障(Barrier)，包括制备InP量子井(q‑Well)，包括制备ZnS壳(Shell)，形成Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs结构单相磷光体量子点，包括将单相磷光体量子点涂覆在蓝光LED芯片上得到单相磷光体量子点白光LED芯片。本发明采用分步合成法、涂覆技术和紫外固化技术实现单相磷光体量子点白光LED芯片的制备。