一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统

摘要

本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统，该方法包括下列步骤：完成IGBT硅片的正面工艺；对所述硅片背面进行减薄工艺，将其研磨至所需厚度；对所述硅片进行离子注入；对所述硅片背面进行退火处理；对所述硅片背面进行金属化处理。本发明提出的IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统，适应IGBT背面退火工艺研发节点，推出不同激光器组合加预热功能，用以满足特定IGBT背面多层次退火工艺需求，提供了一套激光退火系统化解决方案，替代高功率准分子激光器退火和质子辐照+低温炉管退火工艺，实现不同结深客户定制化需求。