法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-12
授权
授权
2017-12-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/417 申请日:20160203
实质审查的生效
2017-12-01
公开
公开
机译: 形成用于半导体器件的栅极接触结构和源极/漏极接触结构的方法
机译: 具有自对准的源极漏极和栅极的电子组件的制造包括在伪栅极的任一侧上形成的源极和漏极的自对准硅化
机译: 半导体装置适用于襟翼船的功率半导体装置,具有与电极电镀层电连接的漏极接触焊接球,源极和栅极焊球连接源极和栅极接触层