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鳍式半导体器件的自对准栅极和/或源极/漏极接触结构及其形成方法

摘要

鳍式半导体器件包括栅极结构和源极/漏极结构。鳍式半导体器件还包括耦合到栅极结构的栅极硬掩模结构。栅极硬掩模结构包括第一材料。鳍式半导体器件还包括耦合到源极/漏极结构的源极/漏极硬掩模结构。源极/漏极硬掩模结构包括第二材料,其蚀刻选择性不同于第一材料。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    授权

    授权

  • 2017-12-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/417 申请日:20160203

    实质审查的生效

  • 2017-12-01

    公开

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