在凹陷蚀刻制程期间使用氧化处理凹陷栅极结构的方法

摘要

本发明涉及在凹陷蚀刻制程期间使用氧化处理凹陷栅极结构的方法，其中，一种方法包含形成嵌入在一衬底上面的一介电层中的一栅极结构。进行第一凹陷蚀刻制程以移除该栅极结构的第一部分。在移除该第一部分后，进行氧化处理以氧化该栅极结构的第二部分。进行第二凹陷蚀刻制程以至少移除该第二部分以在该栅极结构上面的介电层中界定一帽盖凹部。在该帽盖凹部中形成一帽盖层。