一种背面钝化的背接触晶硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种背面钝化的背接触晶硅太阳能电池的制备方法，步骤包括激光打孔、制绒、扩散、刻蚀、镀背面钝化膜、镀背面保护膜、镀正面减反射膜、激光刻槽、丝网印刷、烧结，制成的电池片的正面电极通过激光打孔引导至背面，增大正面的有效光照面积，背面镀上一层钝化膜，孔洞内部及背面再通过一层保护膜层保护，避免引导至背面的正面电极与背面的铝背场短路，降低漏电，并且这层膜在印刷前通过激光刻槽，可增加铝背场与硅片衬底的接触，同时还可以起到一定的光线反射作用。通过本方法可以使用较少的设备投入，并大幅度提高晶硅电池的转换效率，且相比于常规的穿孔电池，漏电值和漏电率更低，成品率更高。