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【24h】

20.3% efficiency rear passivated silicon solar cells with local back contact using commercial P-Cz wafers

机译:使用商用P-Cz晶圆具有局部背接触的20.3%效率的背面钝化硅太阳能电池

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摘要

In this paper, progress results on the next generation Pluto technology were reported. In the next generation Pluto, we focused on the rear surface design, by improvement of the back internal reflection and passivation we got 20.3% cell efficiency with very high Jsc. Still there is further improvement of the cell design to get high FF and Eff.
机译:本文报道了下一代冥王星技术的进展结果。在下一代冥王星中,我们专注于背面设计,通过改善背面内部反射和钝化,我们以非常高的Jsc获得了20.3%的电池效率。电池设计仍需要进一步改进以获得较高的FF和Eff。

著录项

  • 来源
    《IEEE Photovoltaic Specialists Conference;PVSC》|2012年|p.001154- 001157|共4页
  • 会议地点 Austin, TX(US)
  • 作者

    Wang, Zhenjiao;

  • 作者单位

    Suntech Power Holdings Co. Ltd 17-6 Chang Jiang South Road New District Wuxi 214028 China;

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