一种提高磁控溅射镀膜过程中平面靶利用率的方法

摘要

本发明涉及一种提高磁控溅射镀膜过程中平面靶利用率的方法，其中，所述磁控溅射镀膜设备至少包括平面靶以及设于所述平面靶同一侧的一对互为NS极的磁体组，所述磁体组包括第一磁体和第二磁体，所述第一磁体具有面向所述平面靶的N极磁极面，所述平面靶位于所述磁体组形成的磁场区域内，所述第一磁体的所述N极磁极面和所述第二磁体的所述S极磁极面分别朝向所述第一面的中部倾斜，本发明通过改变磁体组相对于平面靶的排列结构，从而改变磁场分布，使磁场经过平面靶使用区域的磁感应强度增强，溅射区域电子活跃度提高，大量电子运动区域增加，刻蚀区域增大，从而平面靶利用率相较现有技术大大提高，降低了平面靶使用成本。