具有p埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法

摘要

本发明涉及一种具有p埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作SOILIGBT器件，纵向耐压靠具有逆向杂质浓度分布的p型隐埋层和具有正向杂质浓度分布的n型顶层半导体形成的反向偏置pn结承担，通过九次刻蚀以及两次氧化制作出具有p埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。本发明方法制作的器件单元在减薄隐埋氧化层厚度条件下，提高了器件的纵向耐压，同时减弱了自加热效应，改善了器件热特性，提高了其可靠性。