一种低导热氮化硼‑碳化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明提供一种碳纳米管‑SiC薄膜的制备方法，包括以下步骤：将过渡金属衬底和碳纳米管粉体置于真空反应系统中，碳纳米管粉末颗粒尺寸为10纳米‑20纳米，采用氩气分别作为碳纳米管粉体载气体和三氯甲基硅烷载气体，氢气作为反应气体，在除去真空腔内氧气的情况下，维持室内真空度1‑1000Pa，并升温至800‑1200℃，将氢气注入真空腔中，流量为100‑500mL/min，分别将载有碳纳米管粉末和三氯甲基硅烷的氩气体通入真空腔中，流量分别为10‑100ml/min和100‑500ml/min，碳纳米管粉末供给速度为10‑100mg/min，同时保持氢气流量，保温1‑5h，降温速率为5‑20℃/min。本发明有益效果主要在于提高了SiC薄膜的高温抗氧化，抗烧蚀性能。