一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，其通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述抗辐射FLASH开关单元是制作在硅基的深N阱中，并通过STI实现信号传输管与编程/擦除管的有源区有效隔离；所述信号传输管栅氧层与编程/擦除管隧道氧化层是同膜层、是采用掺N氧化工艺实现；其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元工艺简单，兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量能力强、编程效率高等优点。同时，本发明抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元体硅CMOS工艺集成方法也适用于SOI CMOS工艺。