具有薄底部射极层并在屏蔽区域和终止环中的渠沟中植入掺杂物的垂直功率电晶体

摘要

本发明公开了在垂直电晶体(例如IGBT)中的各种改进。该等改进包括在生长基板的顶端表面区中形成周期性高度掺杂p型射极熔接点，接着是生长该等各种电晶体层，接着是磨光该基板的底面，接着是该底面的湿式蚀刻以暴露该高浓度掺杂p+层。金属接点随后在该p+层上面形成。在另一改进中，边缘终止结构利用植入渠沟中的p‑掺杂物以产生用于塑形该电场的深p‑区，以及在该等渠沟之间用于在截止之后快速地去除电洞的浅p‑区。在另一改进中，使用n‑层和分布式n+区的双缓冲层改进崩溃电压和饱和电压。在另一改进中，在终止结构中不同浓度的p‑分区借由变化渠沟的间距而形成。在另一改进中，斜切锯道提高崩溃电压。