Gallium nitride; Passivation; Semiconductor diodes; Performance evaluation; Electric fields; Voltage measurement;
机译:自由GaN衬底上垂直GaN肖特基势垒二极管和p-n二极管正向电流/电压特性的数值分析
机译:高压,大电流GaN-on-GaN p-n二极管,具有部分补偿的边缘端接
机译:从块状GaN衬底上外延剥离的高压垂直GaN p-n二极管
机译:高压垂直p-n二极管,其离子注入边缘终端和GaN衬底上溅射的SiNx钝化层
机译:垂直GaN P-N二极管中的缺陷介导的载波传输机制
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:离子植入物隔离垂直GaN P-N二极管,由GaN基板(Phys.Tudy Solidi A 4/2019)制成外延升降机