机译:高压,大电流GaN-on-GaN p-n二极管,具有部分补偿的边缘端接
Univ Notre Dame, Dept Elect Engn, Notre Dame, IN 46556 USA;
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Qorvo Inc, 500 West Renner Rd, Richardson, TX 75080 USA;
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MicroLink Devices, 6457 West Howard St, Niles, IL 60714 USA;
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机译:带保护环终端的高压(1 kV)4H-SiC p-n结二极管的“理想”静态击穿
机译:GaN垂直p-n结二极管中边缘终止电场的
机译:自由GaN衬底上垂直GaN肖特基势垒二极管和p-n二极管正向电流/电压特性的数值分析
机译:具有浅斜角端接的GaN-on-GaN p-n结二极管的击穿电压提高了大功率应用
机译:高温扩散技术的发展,用于改善碳化硅p-i-n二极管的边缘端接和开关性能。
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:通过将边缘端子嵌入阳极区域,可降低漏电流并提高无金AlGaN / GaN-on-Si肖特基二极管的通态性能
机译:具有指数掺杂梯度的扩散p-n二极管的结电容作为电压的函数