公开/公告号CN107112218A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 创世舫电子有限公司;
申请/专利号CN201580068626.9
申请日2015-12-14
分类号H01L21/285(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/20(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人李兰;孙志湧
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 03:13:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20151214
实质审查的生效
2017-08-29
公开
公开
机译: 在III-N器件的凹槽中形成欧姆接触
机译: 在III-N器件的凹槽中形成欧姆接触
机译: III-N器件中的欧姆接触