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III‑N器件中的凹陷欧姆接触

摘要

一种器件,包括具有上侧和下侧的III‑N层,下侧与上侧相对,以及III‑N层的上侧上的至少一个导电接触,导电接触延伸进入III‑N层。导电接触包括远离III‑N层的下侧面对的顶侧,以及朝向III‑N层的下侧面对的底侧。底侧包括第一端以及与第一端相对的第二端,从第一端升高至比第一端更接近顶侧的中间点的第一侧,以及从中间点下降至第二端的第二侧,第二端比中间点更远离顶侧。

著录项

  • 公开/公告号CN107112218A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 创世舫电子有限公司;

    申请/专利号CN201580068626.9

  • 申请日2015-12-14

  • 分类号H01L21/285(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/20(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人李兰;孙志湧

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 03:13:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20151214

    实质审查的生效

  • 2017-08-29

    公开

    公开

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