具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法，其提供半导体装置制造方法，包括：设置结构，该结构具有至少一个区域并包括设于衬底上方的介电层；在该介电层上方形成包括阈值电压调整层的多层堆叠结构，该多层堆叠结构包括位于该至少一个区域的第一区域中的第一阈值电压调整层、以及位于该至少一个区域的第二区域中的第二阈值电压调整层；以及退火该结构以定义该至少一个区域的变化阈值电压，该退火促进至少一个阈值电压调整种类自该第一阈值电压调整层及该第二阈值电压调整层扩散进入该介电层中，其中，该第一区域的阈值电压独立于该第二区域的该阈值电压。