一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法

摘要

一种多功能连续溅射镀膜线，包括依次通过阀门连接的前缓冲室、镀膜室、后缓冲室，每一个镀膜室包括连通的镀膜腔体A与镀膜腔体B，每一个镀膜室内均设有1个或多个阴极靶，每一个镀膜室内分别设有一套可在镀膜室的入口与出口之间来回运送基片架的输送装置，每一个镀膜室的入口与出口处分别设有可探测基片架是否到达当前位置的探测装置。一种多功能连续溅射镀膜线的镀膜方法，主要包括检测镀膜室是否有基片、驱动装置正转镀膜与反转镀膜、及循环镀膜等步骤。一种多功能连续溅射镀膜线的镀膜控制方法，主要包括为镀膜室设置有无基片架的属性值F及其驱动装置反转次数值T、正反转镀膜控制等步骤。本发明可用于各种不同组合的膜系镀膜。

说明书

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术与设备，特别的，涉及一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法。

背景技术

真空镀膜技术已经广泛应用于各个领域，磁控溅射镀膜技术是比较成熟而且有效的方法之一。在实际应用中，越来越多需求是能够在基片上镀多种材料的膜层和多层膜。而且由于需求不同，这些材料和膜层常常是变化的，因此，对镀膜设备的要求也越来越高。一般，连续溅镀线生产效率高，产能大。但目前连续磁控溅镀线基本都是为了一种特定的用途而设计，即为某一种特定的膜而设计，溅镀线功能可变性小。如果膜系结构改变，常常难以生产，而连续溅镀线在镀多层膜时，由于需要的靶位多，生产线会很长，造价也高。而且，需要对每个靶工作特性如均匀性进行调试，工作量大，调试也困难。因此，理想的连续溅镀线应该具有多功能性，也就是可以用来做多种膜系，镀多种基片材料，且能同时镀多块基片，以提高效率。中国专利201110451479.7公开了一种磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺，其镀膜线采用带回转功能的回转室对工件进行传输，实现工件的多层镀膜，该镀膜线虽然在结构上比较紧凑，但其镀膜线总体的实质长度并没有缩短，需要设置多个回转室才能满足镀多种膜的需求，工件需要频繁往返进出各个镀膜室，镀膜室阀门的频繁开启会影响镀膜室内的真空度，影响镀膜质量。

发明内容

本发明目的在于提供一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法，以解决背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种多功能连续溅射镀膜线，包括依次通过阀门连接的前缓冲室、n个镀膜室、后缓冲室，其中n的数值为大于或等于1的整数，即n个镀膜室为1个镀膜室或多个首尾依次连接的镀膜室，每一个镀膜室分别连接有供气装置及真空泵，每一个镀膜室内均设有1个或多个阴极靶，每一个镀膜室内分别单独设有可在镀膜室的入口与出口之间来回运送基片架的输送装置，每一个镀膜室的入口附近与出口附近分别设有可探测基片架是否到达当前位置的探测装置，其中第n镀膜室入口附近的探测装置设为探测装置n-C，出口处的探测装置设为探测装置n-D，所述输送装置包括用于承载基片架的轨道，及用于驱动基片架在轨道上来回运行的驱动装置，任意相邻两个镀膜室内输送 装置的轨道位于同一条直线上。

进一步的，所述输送装置的轨道为设于镀膜室内顶面的槽形轨道，槽形轨道正下方设有支撑起基片架底部的并对基片架提供驱动力的滚轮，滚轮轮缘上设有轮槽，基片架上部在槽形轨道内滑动，下部被定位于滚轮的轮槽内，与滚轮产生相对运动，滚轮由驱动装置驱动。

进一步的，每一个镀膜室连接的工艺气体进气装置的进气口位于镀膜室中各阴极靶的正中间，每一个镀膜室连接的真空泵至少有两个，且真空泵的抽气口均匀对称分布于镀膜室的两端。

进一步的，所述n个镀膜室的前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室之间连接有回转室，n个镀膜室整体对折，使前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室内的轨道对折后呈平行对称排列成两列，且前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室侧壁相对的一面贴合在一起，或者共用同一道侧壁，当n为偶数时，镀膜室对折后的溅射镀膜线前缓冲室与后缓冲室可共用同一个腔室。

进一步的，本镀膜线还设置有控制器，所述阀门、供气装置、真空泵、阴极靶、探测装置、驱动装置、回转室的回转驱动装置均由控制器电连接控制。

进一步的，每一个所述镀膜室均包括两段对称连接在一起且不设阀门的镀膜腔体A与镀膜腔体B，前一个镀膜室的镀膜腔体B与后一个镀膜室的镀膜腔体A通过阀门隔开连接，第1镀膜室的镀膜腔体A与其镀膜腔体B相对的另一端通过阀门隔开连接前缓冲室，第n镀膜室的镀膜腔体B与其膜腔体A相对的另一端通过阀门隔开连接后缓冲室，

根据所述连续溅射镀膜线，本发明还提供了一种多功能连续溅射镀膜线的镀膜方法，包括以下步骤：

1)若第1镀膜室腔体内无基片，前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门打开，前缓冲室的驱动装置正转将载有第1基片的第1基片架载入第1镀膜室内，基片架进入第1镀膜室镀膜腔体后，由第1镀膜室的驱动装置驱动，前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门关闭；

2)当第1基片架运行至第1镀膜室镀膜腔体的入口处的探测装置C处时，开启第1镀膜室腔体内的阴极靶a对第1基片进行镀膜，根据所需镀阴极靶a的层数来决定阴极靶a开启时第1镀膜室的驱动装置的正反转运行次数，第1基片架跟随驱动装置由探测装置C处运行至探测装置D处或基片架由探测装置D处传动至探测装置C处代表1次镀膜完成，完成1次镀膜，当阴极靶a膜层全部镀完，关闭阴极靶a；

3)若第1基片架还需在第1镀膜室内镀阴极靶b，开启第1镀膜室腔体内的阴极靶b 对第1基片进行镀膜，根据所需镀阴极靶b的层数来决定阴极靶b开启时第1镀膜室的驱动装置的正反转运行次数，第1基片架跟随驱动装置由探测装置C处传动至探测装置D处或基片架由探测装置D处传动至探测装置C处代表1次镀膜完成，完成1次镀膜，当阴极靶b膜层全部镀完，关闭阴极靶b，

4)若第1基片架还需在第1镀膜室内镀其他阴极靶，则依次开启第1镀膜室腔体内的其他阴极靶对第1基片进行镀膜，至所有阴极靶镀膜完成，第1基片在第1镀膜室镀膜工作完成；

5)若第2镀膜室腔体内无基片，第1镀膜室与第2镀膜室之间的阀门打开，第1镀膜室驱动装置正转将载有第1基片的第1基片架载入第2镀膜室内，基片架进入第2镀膜室镀膜腔体后，由第2镀膜室的驱动装置驱动，第1镀膜室与第2镀膜室之间的阀门关闭，第2镀膜室开始阴极靶c及其他阴极靶的镀膜工作，根据镀膜层数要求参照步骤2～步骤4完成第1基片在第2镀膜室的镀膜；第1基片架进入第2镀膜室后，前缓冲室与第一镀膜室之间的阀门打开，前缓冲室的驱动装置正转将载有第2基片的第2基片架载入第1镀膜室内，第2基片架进入第1镀膜室镀膜腔体后，由第1镀膜室的驱动装置驱动，前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门关闭，参照步骤2～步骤4完成第2基片在第1镀膜室内的镀膜工作；

6)重复步骤1～步骤5的过程，各个基片架由各个镀膜室中的驱动装置分别独立驱动运行，至第1基片架～第n基片架按次序进入各镀膜腔体后，分别同时镀膜，再依次从后缓冲室载出。

进一步的，步骤1～步骤4中所述阴极靶a、阴极靶b与其他阴靶，及步骤5中所述阴极靶c与其他阴极靶，可为互不相同的靶材，也可有任意两个或几个为相同的靶材，或可有任意两个或几个为同一个阴极靶，当交替开启的前后两个阴极靶为同一个阴极靶时，则该阴极靶不关闭，直到切换到下一个其他靶材的阴极靶。

根据所述镀膜线，本发明还提供了一种镀膜控制方法，包括以下步骤：

1)系统初始化，为每一个镀膜室设置一个表示该镀膜室内有无基片架的属性值F，其中Fn＝X代表当前第n个镀膜室有基片架，Fn＝Y代表当前第n个镀膜室无基片架为空(属性值F不一定要用1和0表示，可以为其他不同的值，因此此处代理人将其改为X、Y，下文的实施例中用1和0表示，见实施方式中红色字迹部分)，Fn初始值为Y；根据镀膜层数要求设置每一个镀膜室内的每一个阴极靶开启时驱动装置正反转次数值T，其中Tan代表当前第n个镀膜室的阴极靶a开启时，第n个镀膜室的驱动装置n所需完成的重复正/ 反转总次数，Tbn代表当前第n个镀膜室的阴极靶b开启时驱动装置n所需完成的重复正/反转总次数；

2)启动镀膜线，首先判断当前要进入的第n镀膜室的F值是否为Y，如果为Y基片架进入第n镀膜室，并开启第n镀膜室的阴极靶进行镀膜，如果不为Y则等待；基片架进入第n镀膜室后，第n镀膜室入口附近的探测装置C检测到有基片架，则当前第n镀膜室的F值由Y变为X；

3)系统读取当前第n镀膜腔体的Tan与Tbn值，若Tan大于0，则开启第n镀膜腔体的阴极靶a，第n镀膜腔体的驱动装置n正转，基片架从第n镀膜腔体入口处的探测装置C处运行至第n镀膜腔体出口处的探测装置D处时Tan值减1，此时若Tan仍大于0，第n镀膜腔体的驱动装置n反转，使基片架返回至第n镀膜腔体入口处的探测装置C处时Tan值再减1，如此反复，直到Tan值等于0，关闭第n镀膜室阴极靶a；若Tbn大于0，则开启第n镀膜腔体的阴极靶b，如果基片架处于探测器C位置，则第n镀膜腔体的驱动装置n正转，如果基片架处于探测器D位置，则第n镀膜腔体的驱动装置n反转，每次正转反转切换时Tbn值减1，直到Tbn值等于0时，关闭第n镀膜室阴极靶b，若还有其他阴极靶的T值大于0，则驱动装置n继续交替正反转，至最后第n镀膜室最后一个阴极靶的T值等于0，所有阴极靶镀完，第n镀膜腔体镀膜完成；

4)判断接下来基片要进入的第n+1镀膜室的F_n+1值是否为Y，如果为Y基片架进入第n+1镀膜室，如果不为Y则等待；基片架进入第n+1镀膜室后，F_n+1值由Y变为X，Fn值由X变为Y，Tn恢复步骤1中的系统初始设定值，下一基片架依次经步骤2、步骤3进入本步骤。

进一步的，所述切换的各膜层的阴极靶当中，可为互不相同的靶材，也可有任意两个或几个为相同的靶材，或可有任意两个或几个为同一个阴极靶。

本发明具有以下有益效果：本发明的的多功能连续溅射镀膜线的每个镀膜室都可以根据靶材的配置通过叠加镀两种不同膜系的多层膜，然后各个镀膜室也可同配置需要的靶材进行各种排列组合，不需要额外增加包围来加工处理相对复杂的工艺，另外对于加工受温度影响较大的镀膜材料而需要镀较厚膜系的情况，可以采用低功率，增加来回镀膜次数的方法来叠加膜厚可以成为很好的解决方案。按本发明设计完成的镀膜设备，具有强大的实用性，它可以在不许要对设备做任何改造下，镀多种膜系，这样大大的节约了资金和成本，特别是在一些领域，需要的膜系范围广，膜系种类不固定，基片材料特性变化大，这种多功能溅射设备可以满足不同的要求。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明优选实施例1的多功能连续溅射镀膜线整体结构俯视图；

图2是本发明优选实施例2的多功能连续溅射镀膜线整体结构俯视图；

图3是本发明中图2中所示镀膜线中单个镀膜室的俯视图；

图4是本发明中图3中所示镀膜线中单个镀膜室的侧面主视图；

图5是本发明中图2所示镀膜线镀膜室内部输送装置的俯视图；

图6是本发明中图5的左视图。

图中：1、前缓冲室；2、镀膜室；21、第一镀膜室；22、第二镀膜室；23、第三镀膜室；24、第四镀膜室；25、回转室；26、进气口；27、探测装置C；28、探测装置D；3、后缓冲室；4、真空泵；41、抽气口；5、基片架；51、轨道；52、驱动装置；53、滚轮；531、轮槽；54、同步带；6、镀膜腔体A；7、镀膜腔体B；8、阀门；9、阴极靶；

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

参见图1为本发明的一种多功能连续溅射镀膜线的实施例1，包括依次通过阀门连接的前缓冲室1、四个首尾依次连接的镀膜室2、后缓冲室3，每一个镀膜室2分别连接有供气装置及真空泵4，每一个镀膜室包括对接连通且不设阀门的镀膜腔体A6与镀膜腔体B7，前一个镀膜室的镀膜腔体B7与后一个镀膜室的镀膜腔体A6通过阀门8隔开连接，第一镀膜室的镀膜腔体A6与其镀膜腔体B7相对的另一端通过阀门隔开连接前缓冲室1，第四镀膜室的镀膜腔体B7与其膜腔体A6相对的另一端通过阀门隔开连接后缓冲室3，每一个镀膜室内均设有2个阴极靶9，每一个镀膜室内分别单独设有可在镀膜室的入口与出口之间来回运送基片架的输送装置。

参见图5及图6，输送装置包括用于承载基片架5的轨道51，及用于驱动基片架5在轨道51上来回运行的驱动装置52，参见图1，所有镀膜室内的输送装置的轨道51位于同一条直线上。

参见图5及图6，输送装置的轨道51为设于镀膜室内顶面的槽形轨道，槽形轨道正下 方设有支撑起基片架5底部的并对基片架5提供驱动力的多个滚轮53，滚轮53轮缘上设有轮槽531，基片架上部在槽形轨道内滑动，下部被定位于滚轮的轮槽531内，与滚轮53产生相对运动，各滚轮53由驱动装置52通过同步带54驱动。

参见图2为本发明的一种多功能连续溅射镀膜线的实施例2，四个镀膜室整体对折，使前一半数量的镀膜室即第一镀膜室21、第二镀膜室22与后一半数量的镀膜室即第三镀膜室23、第四镀膜室24内的轨道51对折后呈平行对称排列成两列，且前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室侧壁相对的一面共用同一道侧壁，镀膜室对折后的溅射镀膜线前缓冲室与后缓冲室可共用同一个腔室，四个镀膜室的前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室之间连接有回转室25。

参见图3及图4，每一个镀膜室的入口与出口附近分别设有可探测基片架5是否到达当前位置的探测装置，其中入口附近的探测装置设为探测装置C27，出口附近的探测装置设为探测装置D28。

参见图3及图4，每一个镀膜室连接的进气装置的进气口26位于镀膜腔体A6与镀膜腔体B7中两阴极靶9的正中间，每一个镀膜室连接的真空泵4两个，且真空泵4的抽气口41均匀对称分布于镀膜室的两端。

本实施例中，镀膜线还设置有控制器，所述阀门、供气装置、真空泵、阴极靶、探测装置、驱动装置、回转室的回转驱动装置均由控制器电连接控制。

一种多功能连续溅射镀膜线的镀膜方法，包括以下步骤：

1)若第1镀膜室腔体内无基片，前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门打开，前缓冲室的驱动装置正转将载有第1基片的第1基片架载入第1镀膜室内，基片架进入第1镀膜室镀膜腔体后，由第1镀膜室的驱动装置驱动，前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门关闭；

2)当第1基片架运行至第1镀膜室镀膜腔体的入口处的探测装置C处时，开启第1镀膜室腔体内的阴极靶a对第1基片进行镀膜，根据所需镀阴极靶a的层数来决定阴极靶a开启时第1镀膜室的驱动装置的正反转运行次数，第1基片架跟随驱动装置由探测装置C处运行至探测装置D处或基片架由探测装置D处传动至探测装置C处代表1次镀膜完成，完成1次镀膜，当阴极靶a膜层全部镀完，关闭阴极靶a；

3)若第1基片架还需在第1镀膜室内镀阴极靶b，开启第1镀膜室腔体内的阴极靶b对第1基片进行镀膜，根据所需镀阴极靶b的层数来决定阴极靶b开启时第1镀膜室的驱动装置的正反转运行次数，第1基片架跟随驱动装置由探测装置C处传动至探测装置D处或基片架由探测装置D处传动至探测装置C处代表1次镀膜完成，完成1次镀膜，当阴极 靶b膜层全部镀完，关闭阴极靶b，

4)若第1基片架还需在第1镀膜室内镀其他阴极靶，则依次开启第1镀膜室腔体内的其他阴极靶对第1基片进行镀膜，至所有阴极靶镀膜完成，第1基片在第1镀膜室镀膜工作完成；

5)若第2镀膜室腔体内无基片，第1镀膜室与第2镀膜室之间的阀门打开，第1镀膜室驱动装置正转将载有第1基片的第1基片架载入第2镀膜室内，基片架进入第2镀膜室镀膜腔体后，由第2镀膜室的驱动装置驱动，第1镀膜室与第2镀膜室之间的阀门关闭，第2镀膜室开始阴极靶c及其他阴极靶的镀膜工作，根据镀膜层数要求参照步骤2～步骤4完成第1基片在第2镀膜室的镀膜；第1基片架进入第2镀膜室后，前缓冲室与第一镀膜室之间的阀门打开，前缓冲室的驱动装置正转将载有第2基片的第2基片架载入第1镀膜室内，第2基片架进入第1镀膜室镀膜腔体后，由第1镀膜室的驱动装置驱动，前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门关闭，参照步骤2～步骤4完成第2基片在第1镀膜室内的镀膜工作；

6)重复步骤1～步骤5的过程，各个基片架由各个镀膜室中的驱动装置分别独立驱动运行，至第1基片架～第n基片架按次序进入各镀膜腔体后，分别同时镀膜，再依次从后缓冲室载出。

根据所述镀膜线，本发明还提供了一种镀膜控制方法，包括以下步骤：

1)系统初始化，为每一个镀膜室设置一个表示该镀膜室内有无基片架的属性值F，其中Fn＝1代表当前第n个镀膜室有基片架，Fn＝0代表当前第n个镀膜室无基片架为空，Fn初始值为0；根据镀膜层数要求设置每一个镀膜室内的每一个阴极靶开启时驱动装置正反转次数值T，其中Tan代表当前第n个镀膜室的阴极靶a开启时，第n个镀膜室的驱动装置n所需完成的重复正/反转总次数，Tbn代表当前第n个镀膜室的阴极靶b开启时驱动装置n所需完成的重复正/反转总次数；

2)启动镀膜线，首先判断当前要进入的第n镀膜室的Fn值是否为0，如果为0基片架进入第n镀膜室，并开启第n镀膜室的阴极靶进行镀膜，如果不为0则等待；基片架进入第n镀膜室后，第n镀膜室入口附近的探测装置C检测到有基片架，则当前第n镀膜室的Fn值由0变为1；

3)系统读取当前第n镀膜腔体的Tan与Tbn值，若Tan大于0，则开启第n镀膜腔体的阴极靶a，第n镀膜腔体的驱动装置n正转，基片架从第n镀膜腔体入口处的探测装置C处运行至第n镀膜腔体出口处的探测装置D处时Tan值减1，此时若Tan仍大于0，第n 镀膜腔体的驱动装置n反转，使基片架返回至第n镀膜腔体入口处的探测装置C处时Tan值再减1，如此反复，直到Tan值等于0，关闭第n镀膜室阴极靶a；若Tbn大于0，则开启第n镀膜腔体的阴极靶b，如果基片架处于探测器C位置，则第n镀膜腔体的驱动装置n正转，如果基片架处于探测器D位置，则第n镀膜腔体的驱动装置n反转，每次正转反转切换时Tbn值减1，直到Tbn值等于0时，关闭第n镀膜室阴极靶b，若还有其他阴极靶的T值大于0，则驱动装置n继续交替正反转，至最后第n镀膜室最后一个阴极靶的T值等于0，所有阴极靶镀完，第n镀膜腔体镀膜完成；

4)判断接下来基片要进入的第n+1镀膜室的F_n+1值是否为0，如果为0基片架进入第n+1镀膜室，如果不为0则等待；基片架进入第n+1镀膜室后，F_n+1值由0变为1，Fn值由1变为0，Tn恢复步骤1中的系统初始设定值，下一基片架依次经步骤2、步骤3进入本步骤。

下面使用图1或图2所示的镀膜线对本发明所述的镀膜方法及镀膜控制方法举例说明：

实例1：镀膜系TiO2/SiO2/TiO2

各基片在第一镀膜室内先从入口正向运行至出口镀第一层TiO2，再从出口反向运行至入口镀第二层SiO2，再正向运行至进入第二镀膜室出口处即可完成第三层TiO2镀膜；

或者第一镀膜室用来镀第一层TiO2，第二镀膜室用来镀第二层SiO2，第三镀膜室用来镀第三层TiO2，基片依次通过第一镀膜室、第二镀膜室、第三镀膜室即可完成镀膜。

实例2：镀膜系TiO2/SiO2/In/TiO2

第一镀膜室用来镀前面TiO2/SiO2二层膜层，第二镀膜室用来镀第三层In，第三镀膜室用来镀第四层TiO2，各基片在第一镀膜室内先从入口正向运行至出口镀第一层TiO2，再从出口反向运行至入口镀第二层SiO2，再正向运行至进入第二镀膜室出口处完成第三层In镀膜，再正向运行至进入第三镀膜室出口处完成第四层TiO2镀膜；

或者第一镀膜室用来镀第一层TiO2，第二镀膜室用来镀SiO2，第三镀膜室用来镀金属第三层In，第四镀膜室用来镀第四层TiO2，基片依次通过四个镀膜室即可完成镀膜。

实例3：镀膜系TiO2/SiO2/TiO2/SiO2/AF

第一镀膜室用来镀前面TiO2/SiO2/TiO2/SiO2四层膜层，第二镀膜室用来镀第五层AF，各基片在第一镀膜室内先从入口正向运行至出口镀第一层TiO2，再从出口反向运行至入口镀第二层SiO2，再从入口正向运行至出口镀第三层TiO2，再从出口反向运行至入口镀第四层SiO2，再正向运行至进入第二镀膜室出口处完成第三层AF镀膜；

或者第一镀膜室用来镀第一层TiO2，第二镀膜室用来镀第二层SiO2，第三镀膜室用来镀金属第三层TiO2与第四层SiO2，第四镀膜室用来镀第四层AF层，各基片在先通过第一镀膜室镀第一层TiO2，再通过第二镀膜室镀第二层SiO2，再进入第三镀膜室从入口正向运行至出口镀第三层TiO2，再从出口反向运行至入口镀第四层SiO2，再正向运行至进入第四镀膜室出口处完成第三层AF镀膜。

实例4：镀膜系SiO2/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2/In/TiO2

第一镀膜室，用来镀第一，第二层和第三层SiO2/TiO2/SiO2，第二镀膜室用来镀第四和第五层TiO2/SiO2，第三镀膜室用来镀金属In，第四镀膜室用来镀最后一层TiO2。基片进入第一镀膜室后首先启动硅靶，根据膜层厚度需要，基片架可以在该镀膜室来回运动，镀SiO2层，然后关闭硅靶，启动钛靶镀TiO2层，同样可以根据膜层厚度需要，决定基片架是否来回运动，然后，关闭钛靶，再启动硅靶，镀SiO2，完成后，进入第二镀膜室分别镀TiO2/SiO2层，在该室，可以一个方向连续镀膜，也可以通过来回运动，分别镀膜。根据需要来选择，在第一基片架进入第二镀膜室后，第二基片架进入第一镀膜室，重复第一个基片架的镀膜步骤，而第一基片架在第二镀膜室完成镀膜后，进入第三镀膜室镀金属In，完成后进第四镀膜室，镀最后一层TiO2，第二基片架依次进入第二，第三等镀膜室。第三基片架依次进入第一，第二等镀膜室，依次类推，最后形成了一个连续的生产过程。

实例5：镀膜系Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2

该膜系是材料可以由同一种靶材，两种反应气体制备的多层膜系，这样可以在每个镀膜室里交替使用不同的气体，而完成生产该多层膜系。具体如下：第一，第二，第三和第四个基片架依次到达第四，第三，第二和第一镀膜室，然后分别对每个镀膜室注入氩气和氮气，启动每个镀膜室的硅靶，开始镀第一层Si3N4。完成后，关闭所有室靶电源和氮气，注入氧气，再启动每个镀膜室靶电源，开始镀第二层氧化硅，完成后，关闭靶电源和氧气，注入氮气。再启动电源，开始镀第三层Si3N4，以此类推，最后完成8层镀膜。然后，四个基片架依次按顺序出镀膜室。同时可以让下一组四个基片架依次进入镀膜室。当然，在镀膜时，每个镀膜室里镀膜过程没有必要同步，可以独立的按照需要进行镀膜。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。