公开/公告号CN107059132A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 磐石创新(北京)电子装备有限公司;
申请/专利号CN201710196467.1
申请日2017-03-29
分类号C30B29/48(20060101);C30B11/00(20060101);
代理机构11599 北京东方昭阳知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黄素云
地址 101102 北京市通州区马驹桥金桥产业园联东U谷中区89A
入库时间 2023-06-19 03:03:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/48 申请日:20170329
实质审查的生效
2017-08-18
公开
公开
机译: 一种利用外延层生长的硅单晶衬底的制造方法(制造用于外延层生长的单晶衬底的方法)
机译: 同时生长一种以上SiC单晶的物理气相传输生长系统及其生长方法
机译: 同时生长一种以上SIC单晶的物理气相传输生长系统及其生长方法