用于嵌入式存储器的高k后制制造工艺

摘要

本发明实施例提供了一种使用高k金属栅极(HKMG)技术的具有嵌入式硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)存储单元的集成电路(IC)。逻辑器件布置在半导体衬底上以及包括逻辑栅极。逻辑栅极布置在高k介电层内。存储单元布置在半导体衬底上以及包括彼此横向邻近的控制晶体管和选择晶体管。控制和选择晶体管分别包括控制栅极和选择栅极。控制晶体管还包括控制栅极下面的电荷捕获层。控制栅极和选择栅极是第一材料，以及逻辑栅极是第二材料。还提供了用于制造IC的高k后制方法。本发明实施例涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。