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嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤

摘要

本发明提供的是一种嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤。本发明单晶芯光纤由低折射率的二氧化硅石英玻璃包层和高折射率的铌酸锂或钽酸锂单晶芯组成。本发明是采用将铌酸锂或钽酸锂单晶圆柱棒或多晶圆柱棒嵌入到低软化温度点的高纯厚壁石英管中,通过加热拉伸、堆积组棒、光纤拉制及纤芯单晶化等步骤来制备石英包层铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤。通过将光纤拉制与晶体生长相结合,本发明克服了一般单晶光纤生长方法所制备的晶纤长度较短,且光纤形貌存在诸多缺陷及与光通信系统中的标准单模光纤不能兼容的缺点。且用该方法生长出的单晶光纤具有丝径、长度可控等优点,可用于微小型及在线光子调控的相位调制器等。

著录项

  • 公开/公告号CN106980152A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工程大学;

    申请/专利号CN201710258268.9

  • 申请日2017-04-19

  • 分类号G02B6/02(20060101);C30B33/02(20060101);C30B29/30(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

  • 入库时间 2023-06-19 02:53:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-16

    授权

    授权

  • 2017-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/02 申请日:20170419

    实质审查的生效

  • 2017-07-25

    公开

    公开

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