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近红外荧光发射的InP量子点的制备

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摘要

本发明是一种近红外荧光发射的InP量子点的制备方法，即利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺为溶剂，首先合成具有特定表面缺陷的InP核，然后在表面包裹ZnSe，或依次包裹ZnSe和ZnS，得到激子荧光(约600nm)和缺陷荧光(约825nm)双发射的InP量子点。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-15

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K11/88 申请公布日:20170728 申请日:20170116

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-08-22

实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/88 申请日:20170116

实质审查的生效
2017-07-28

公开

公开

1. 近红外荧光发射的InP量子点的制备 [P] . 中国专利： CN106987250A . 2017-07-28
2. 近红外荧光发射水溶性ZnXSe量子点及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108587630A . 2018-09-28
3. InP InP/ZnS / METHOD OF PREPARING InP QUANTUM DOT AND METHOD OF PREPARING InP/ZnS CORE/SHELL QUANTUM DOT [P] . 韩国专利： KR101907096B1 . 2018-10-11

机译： InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
4. InP InP/ZnS / METHOD OF PREPARING InP QUANTUM DOT AND METHOD OF PREPARING InP/ZnS CORE/SHELL QUANTUM DOT [P] . 韩国专利： KR20180018036A . 2018-02-21

机译： InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
5. NEAR INFRARED LIGHT-STORING FLUORESCENT MATERIAL, NEAR INFRARED LIGHT-STORING FLUORESCENT, AND MANUFACTURING METHOD OF NEAR INFRARED LIGHT-STORING FLUORESCENT MATERIAL [P] . 日本专利： JP2015086321A . 2015-05-07

机译：近红外蓄光荧光材料，近红外蓄光荧光材料以及近红外蓄光荧光材料的制造方法