一种改善金属层光阻返工工艺的方法

摘要

本发明提供了一种改善金属层光阻返工工艺的方法，包括以下步骤：提供一光刻后的晶圆，所述晶圆具有含有待去除的光阻层；进行第一次光阻灰化，所述第一次光阻灰化的温度小于250摄氏度；采用湿法清洗工艺进行清洗；进行第二次光阻灰化，所述第二次光阻灰化的温度小于250摄氏度。本发明所提供的方法可以有效的消除小丘缺陷又不会引起图案变形。