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一种基于Sn掺杂NiO分等级结构纳米花球敏感材料的二甲苯气体传感器及其制备方法

摘要

一种基于Sn掺杂NiO分等级结构纳米花球敏感材料的二甲苯气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。本发明利用异价金属离子(Sn4+)掺杂的方法对P型NiO半导体敏感材料进行改性,实现了气敏特性的较大飞跃。基于Sn掺杂NiO纳米花球的传感器对二甲苯表现出卓越的选择性和灵敏度(20.2~100ppm)以及较低的检测下限(0.3ppm)。此外,本发明所采用的传感器结构是由市售的带有2个环形金电极的Al2O3绝缘陶瓷管、涂敷在环形金电极和Al2O3绝缘陶瓷管上的半导体敏感材料、以及穿过Al2O3绝缘陶瓷管的镍铬合金加热线圈组成。器件工艺简单,体积小,适于大批量生产,在检测微环境中二甲苯污染物方面有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN106950274A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201710219153.9

  • 申请日2017-04-06

  • 分类号G01N27/419(20060101);

  • 代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人刘世纯;王恩远

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2023-06-19 02:48:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N27/419 申请公布日:20170714 申请日:20170406

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-08-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/419 申请日:20170406

    实质审查的生效

  • 2017-07-14

    公开

    公开

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