一种消除轻掺退火硅片表面COP的方法

摘要

本发明公开了一种消除轻掺退火硅片表面COP的方法。在退火过程中，在从预热温度650℃升温到1100℃的过程中，加入氢气。并且，在退火过程中，在从1100℃降温到800℃的过程中，加入氢气。所加入的氢气的流量为0.1-1SLM流量。采用本发明的方法，在退火过程中改变了硅片表面COP情况，退火后，硅片表面的COP基本可以消除，并降低表面颗粒。