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一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低膨胀率多孔硅/石墨复合负极材料及其制备方法,通过去合金化的工艺实现了多孔硅的制备,实现了纳米硅的廉价制备,通过碳包覆实现了多孔硅的导电性以及稳定性的提高,通过与石墨负极材料按照一定比例均匀混合,实现了多孔硅/石墨低膨胀硅碳负极材料的制备以及设计。该种材料具有以下优点:多孔硅中的空间为硅的膨胀提供了足够的空间,从而实现了硅碳负极整体的低膨胀,保证了电极的低膨胀以及电池的安全性;通过对硅的碳包覆,碳包括石墨烯,无定型裂解碳等,实现了多孔硅的导电性以及稳定性的提高;去合金化廉价的方法,保证了硅的廉价性以及整个复合负极的廉价性。

著录项

  • 公开/公告号CN106784743A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东泰纳新材料科技有限公司;

    申请/专利号CN201710110164.3

  • 发明设计人 慈立杰;翟伟;邵学智;

    申请日2017-02-28

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/38(20060101);H01M4/587(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);

  • 代理机构济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业);

  • 代理人李树祥

  • 地址 261041 山东省潍坊市奎文区南环路1777(潍坊昌荣机械有限公司院内)

  • 入库时间 2023-06-19 02:26:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M4/36 申请公布日:20170531 申请日:20170228

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20170228

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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