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公开/公告号CN106784141A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥工业大学;
申请/专利号CN201611164999.9
发明设计人 王敏;许智豪;吴从军;蔡曹元;马杨;
申请日2016-12-16
分类号H01L31/18;H01L31/102;H01L31/109;
代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;
代理人余成俊
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2023-06-19 02:26:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20161216
实质审查的生效
2017-05-31
公开
机译: -金属-石墨烯异质结金属互连其形成方法和包括该金属-石墨烯异质结金属的半导体器件
机译: 形成具有应变沟道和异质结源极/漏极的半导体器件的方法
机译: 石墨烯 - 半导体异质结光电探测器及其制造方法
机译:基于铁电/半导体异质结的深紫外可见光探测器
机译:基于石墨烯/β-GA_2O_3 / GAN异质结的宽带紫外光探测器
机译:渐变硅锗异质结短沟道隧道场效应晶体管的物理操作和器件设计
机译:基于GaN /β-GA2O3 PN异质结具有石墨烯的宽带紫外光探测器
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:石墨烯2D半导体横向异质结中的不对称热载流子热化和宽带光响应
机译:Si金属氧化物半导体场效应晶体管中源到沟道异质结势垒导致的弹道效率提高
机译:用于VLsI的短沟道mOsFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的建模。