一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。