首页> 中国专利> 一种磁控溅射制备高导高透明度本征二氧化锡薄膜的方法

一种磁控溅射制备高导高透明度本征二氧化锡薄膜的方法

摘要

半导体行业中透明导电薄膜作为重要的电极材料,需求量巨大。高导电性高透明度的导电薄膜以其优异的电学性质、光学性能和高稳定性被广泛应用于电子、光学器件中,例如触摸屏、探测器、液晶显示器、太阳能电池等领域中都具有重要的应用。本发明的目的在于发明出一种磁控溅射制备高导高透明度本征二氧化锡薄膜的方法,无需使用氟掺杂。本发明通过磁控溅射生长本征二氧化锡薄膜,使用金属锡靶材,无需掺杂,通过真空退火获得高导高透明的导电薄膜。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点,具有较好的推广价值。

著录项

  • 公开/公告号CN106702321A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN201510785857.3

  • 发明设计人 吕佩文;黄丰;

    申请日2015-11-16

  • 分类号C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2023-06-19 02:16:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/08 申请公布日:20170524 申请日:20151116

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/08 申请日:20151116

    实质审查的生效

  • 2017-05-24

    公开

    公开

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