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一种电容器用掺混纳米二氧化钛负载氧化锡锑的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种电容器用掺混纳米二氧化钛负载氧化锡锑的聚酰亚胺高介电复合薄膜,该复合薄膜在聚酰亚胺薄膜制备过程中掺混纳米二氧化钛、氧化锡锑等复合填料,并将氧化锡锑负载在纳米二氧化钛中,以提高其分散性和利用率,再利用在有机溶剂中具有良好稳定性的聚乙烯醇膜对粉体进行包覆处理,而经过硅烷偶联剂表面改性处理后的复合粉体与有机胶液界面相容性好,更易分散均匀,从而高效稳定的改善了材料的介电性能,在提高介电常数的同时降低介电损耗,最后制备得到的复合薄膜材料较单纯的聚酰亚胺薄膜在介电性能上获得极大改善,且仍保持良好的力学性能和加工性能,应用前景良好。

著录项

  • 公开/公告号CN105037764A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 铜陵市胜达电子科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201510478669.6

  • 发明设计人 唐彬;唐发根;

    申请日2015-08-03

  • 分类号C08J5/18;C08L79/08;C08G73/10;C08K13/06;C08K9/06;C08K9/10;C08K9/12;C08K3/22;

  • 代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人方琦

  • 地址 244000 安徽省铜陵市经济技术开发区翠湖四路西段5105号

  • 入库时间 2023-12-18 11:52:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-24

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C08J5/18 申请公布日:20151111 申请日:20150803

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-12-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08J5/18 申请日:20150803

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    公开

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