用于增加LiPON离子电导率以及TFB制造产率的专用LiPON掩模

摘要

依据一般的方面，本揭示内容的实施方式涉及专用掩模设计，所述掩模设计不仅提高沉积的LiPON层的离子电导率，而且还通过减少由RF等离子体对沉积层造成的损伤来提高装置产率。在实施方式中，掩模包括在沉积期间面向基板的导电底表面及不导电的相对顶面。依据本揭示内容的多种方面，所述掩模在底面的导电部分允许弱的次级局部等离子体形成(或更多的等离子体浸没)，以增强氮并入LiPON膜中。不导电的顶面抑制局部微起弧，此举将限制等离子体对生长膜引发的损伤。