用于硅CMOS相容半导体器件中的缺陷扩展控制的具有倾斜侧壁刻面的纤锌矿异质外延结构

摘要

描述了包括具有倾斜侧壁刻面的升高的III‑N半导体结构的III‑N半导体异质结构。在实施例中，促成半极性倾斜侧壁刻面的横向外延过生长用于使晶体缺陷从竖直扩展弯曲到水平扩展。在实施例中，具有低缺陷密度表面的任意大的合并的III‑N半导体结构可以从暴露硅衬底的(100)表面的沟槽过生长。诸如III‑N晶体管的III‑N器件可以进一步形成在升高的III‑N半导体结构上，而基于硅的晶体管可以形成在硅衬底的其它区中。