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一种通过调整氮气流量改善低温氧化硅薄膜性能的方法

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一种通过调整氮气流量改善低温氧化硅薄膜性能的方法，主要解决现有制备氧化硅薄膜的方法比较复杂，不易控制的问题。该方法能够在较低的基底温度下，由射频系统提供射频，通过等离子体技术沉积出所需要的氧化硅薄膜。具体方法通过以下步骤实现:1、载物台控温；2、装样；3、通入气体SiH

著录项

公开/公告号CN106555168A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人沈阳拓荆科技有限公司;
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申请/专利号CN201510623298.6
发明设计人李培培;刘忆军;戚艳丽;宁建平;
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申请日2015-09-28
分类号C23C16/40;C23C16/513;C23C16/52;
代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);
代理人甄玉荃
地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层
入库时间 2023-06-19 01:52:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/40 申请公布日:20170405 申请日:20150928

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-04-05

公开

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