一种锗基纳米线沟道NMOS器件结构

摘要

本发明公布了一种锗基锗纳米线沟道N型MOSFET器件结构，其结构如下：一半绝缘锗基材料，一在半绝缘锗基材料上形成的N型掺杂的硅锗源漏底层、一在N型硅锗源漏底层上形成的N型掺杂的锗沟道材料层；一在锗沟道材料层上形成的N型掺杂的硅锗源漏顶层；一在锗纳米线材料层上形成的环栅介质层；一在氧化铝层上生长的环栅金属层；一在环栅金属层上沉积的栅金属电极；一在硅锗源漏顶层上形成的源漏金属电极。