用于降低SIC半导体器件的双极退化的方法和半导体器件

摘要

本发明涉及用于降低SIC半导体器件的双极退化的方法和半导体器件。公开了一种用于形成半导体器件的方法和一种半导体器件。方法包括：在SiC半导体主体中通过引入非掺杂粒子到半导体主体中在第一半导体区中形成晶体缺陷；以及形成第二半导体区使得在第一半导体区与第二半导体区之间存在pn结。