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公开/公告号CN106356404A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 兰州大学;
申请/专利号CN201610849262.4
发明设计人 杨建红;谌文杰;肖彤;杨盼;王欣;陈健;王娇;乔坚栗;
申请日2016-09-23
分类号H01L29/772;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/335;
代理机构兰州振华专利代理有限责任公司;
代理人张晋
地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号
入库时间 2023-06-19 01:25:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/772 申请日:20160923
实质审查的生效
2017-01-25
公开
机译: 一种在差分级中具有绝缘栅部分的静电感应晶体管的制备方法
机译: 带有电流检测功能的静电感应晶体管
机译: 薄膜晶体管,一种制造薄膜晶体管的方法和一种具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置,能够通过在有源层中另外形成通道来改善电流特性
机译:并五苯静电感应晶体管在漏极-源极和栅极负电压下的电流饱和效应
机译:高电流区静电感应晶体管中注入电荷势垒的研究
机译:提取增强型横向绝缘栅双极晶体管:一种超高速横向绝缘栅双极晶体管,优于横向双管扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:亚微米鳍片宽度的单片和多片静电感应晶体管中的电流缩放
机译:4H-SiC中的高压肖特基势垒整流器和静电感应晶体管。
机译:一种基于平面平面静电感应电极的手高测量方法
机译:绝缘体上的高性能耗尽/增强型β-Ga2O3 (GOOI)场效应晶体管,记录漏电流为600/450 ma / mm
机译:电子流扼流:场效应晶体管中电流饱和的一种机制