公开/公告号CN106356284A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201610511090.X
发明设计人 B·J·帕夫拉克;
申请日2016-06-30
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/306(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-06-19 01:25:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20170125 申请日:20160630
发明专利申请公布后的驳回
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160630
实质审查的生效
2017-01-25
公开
公开
机译: 凹凸的硅表面上的应力松弛缓冲层
机译: 硅化表面上的应力松弛缓冲层
机译: 制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。