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在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层

摘要

本发明涉及在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层,具体提供一种形成应力松弛缓冲(SRB,Stress Relaxed Buffer)层于非平坦的或开槽的硅(Si)表面上的方法及其装置。实施例包含形成非平坦表面于硅晶圆的上表面中;外延生长低温晶种层于该硅晶圆的该非平坦表面上;沉积应力松弛缓冲层于该低温晶种层上方;以及平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。

著录项

  • 公开/公告号CN106356284A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201610511090.X

  • 发明设计人 B·J·帕夫拉克;

    申请日2016-06-30

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/306(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2023-06-19 01:25:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20170125 申请日:20160630

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160630

    实质审查的生效

  • 2017-01-25

    公开

    公开

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