公开/公告号CN106252285A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN201510481531.1
发明设计人 杨大弘;
申请日2015-08-07
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2023-06-19 01:13:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-07
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/8247 申请公布日:20161221 申请日:20150807
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8247 申请日:20150807
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
机译: 单独地包括可编程电荷存储晶体管的垂直串,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构以及以单独的单独形成垂直存储器单元的垂直存储器单元的方法,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构
机译: 具有金属栅极结构的半导体元件,该金属栅极结构通过替换该方法的栅极而制成,并通过硅化物电子固定
机译: 在半导体器件中制造栅极结构的方法以及在使用该栅极结构的非易失性存储器件中制造单元栅极结构的方法