改善IGBT背面应力的方法

摘要

本发明公开了一种改善IGBT背面应力的方法，对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，光刻及刻蚀图案化之后，在整个硅片表面覆盖蓝膜，然后再对蓝膜进行研磨使其表面平坦化。本发明通过较软的蓝膜充分填充到硅片聚酰亚胺层的缝隙或图案凹陷区，形成应力缓冲层，减少在研磨过程中高台阶区域的应力，有效改善背面应力导致的裂片问题。