改善IGBT背面应力的方法

摘要

本发明公开了一种改善IGBT背面应力的方法，对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光由亮改为暗，曝光后，划片槽区的聚酰亚胺保留，能够分散硅片应力，改善硅片的应力分布。或者是对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光仍然保持为亮，增加暗的虚拟图形，曝光后转移到聚酰亚胺上，能使聚酰亚胺层形成均匀的分布。