一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法，所述的基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜主要是通过射频磁控溅射的方法制备；所述射频磁控溅射的工作气压为0.3Pa～0.5Pa；所述射频磁控溅射的退火温度为25℃～900℃；所述射频磁控溅射的溅射功率为120W～160W；所述的溅射靶材由纯度为99.999％的Al和纯度为99.95％的Eu金属熔合制成；所述的溅射气体为99.999％的高纯度Ar，所述的反应气体为99.999％的高纯度N