公开/公告号CN106188269A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军总医院;
申请/专利号CN201610504344.5
申请日2016-06-30
分类号C07K14/47;G01N33/68;G01N33/53;
代理机构
代理人
地址 100853 北京市海淀区复兴路28号解放军总医院
入库时间 2023-06-19 01:04:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-15
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C07K14/47 申请公布日:20161207 申请日:20160630
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C07K14/47 申请日:20160630
实质审查的生效
2016-12-07
公开
公开
机译: (将砷和磷共注入用于改善高压NMOS器件性能的扩展漏区中)到用于改善高压NMOS器件性能的扩展漏区中
机译: 一种用于通过离子进行编程的方法-只读存储器的注入-nmos,并由此获得只读存储器-nmos。
机译: 用于机动车辆电气设备的半导体输出电路具有NMOS,当输出电压低于电源电压时,该NMOS以比另一个NMOS更低的速率释放源极跟随器栅极的电荷