用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法

摘要

用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法，涉及半导体光电子器件制造领域，本发明首先利用有机化学气相沉积法（MOCVD）在衬底上原位生长AlxIn1‑xN层，形成第一缓冲层，可通过调配AlxIn1‑xN缓冲层原子组分，改良溅射式AlN缓冲层的应力，同时对AlN第二缓冲层产生一定张应力，调配AlN第二缓冲层与后续氮化物生长之间的晶格失配度，降低材料生长之间的应力，减少材料间的应力累积，改善材料生长的均一性，从而改善氮化物晶体质量。