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公开/公告号CN106187152A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林理工大学;
申请/专利号CN201610576473.5
发明设计人 校凯;段炼;卢锋奇;
申请日2016-07-20
分类号C04B35/453(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/634(20060101);
代理机构
代理人
地址 541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
入库时间 2023-06-19 01:03:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/453 申请日:20160720
实质审查的生效
2016-12-07
公开
机译: 具有高介电常数和电子部分的介电陶瓷成分,可提高相对介电常数,而不会增加温度的电容变化率和交流击穿电压的降低
机译: 超低介电常数膜的制造方法以及由此制造的超低介电常数膜
机译: 超低介电常数薄膜的生产方法及其生产的超低介电常数薄膜
机译:LiYGeO_4:具有固有低烧结温度的新型低介电常数微波介电陶瓷
机译:烧结温度超低的新型温度稳定型Ba_(1-x)Sr_xV_2O_6微波介电陶瓷
机译:烧结温度超低的(Li_(0.5)Bi_(0.5))(W_(1.-x)Mo_x:)O_4(0.0≤x≤1.0)陶瓷的相演化和微波介电性能
机译:Bi_2O_3和稀土氧化物改性的温度稳定型BaTiO_3介电陶瓷的研究
机译:陶瓷材料的复介电常数测量和混合规律及其在微波处理中的应用。
机译:钨替代对低烧结温度下(Na0.5Bi0.5)MoO4陶瓷晶体结构相变和微波介电性能的影响
机译:无铅亚微米结构的(Bi0.5Na0.5)1 ?? xBaxTiO3铁电陶瓷的微波频率介电常数可调性和热电性能
机译:新型超低介电常数复合材料用于Ga:作为集成电路的陶瓷封装。