California; Deposition; Laboratories; Materials; Materials laboratories; Metallizing; Metals; Packaging; Prototypes; Reactivities; Research facilities; Substrates; Viability; Ceramic materials; Permittivity; Dielectric properties; Composite materials; Integrated circuits; Gallium arsenides; Cements; Laminates; Sol gel processing; Calcium alloys; Sputtering;
机译:通过导电填充具有带薄片最大相位陶瓷的导电填充的负介电常数夹层夹层复合材料的增强介质
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机译:适用于LTCC应用的新型低损耗,低介电常数的玻璃陶瓷复合材料
机译:纳米金刚石复合材料对宽带隙功率电子模块封装的低温共烧陶瓷中介层的影响
机译:用于下一代集成电路的超薄纳米复合材料扩散阻挡层。
机译:铁氧体金属共烧陶瓷的超低渗透阈值带来高磁导率和高介电常数
机译:通过导电填充具有带薄片最大相位陶瓷的导电填充的负介电常数夹层夹层复合材料的增强介质
机译:用于Ga:陶瓷封装的新型超低介电常数复合材料作为集成电路。