基于多二维沟道的增强型GaN FinFET

摘要

基于多二维沟道的增强型GaN FinFET，本发明属于微电子技术领域，涉及到GaN基电力电子器件的制作。其结构自下而上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、多层GaN/AlGaN层、刻蚀掩膜介质层，绝缘栅介质层和栅金属。在衬底上首先外延GaN或AlN缓冲层，然后在缓冲层上外延多层GaN/AlGaN层，并在该结构上形成源、漏极，生长完刻蚀掩膜介质层后，在垂直于源漏的方向上刻蚀出一列栅宽为纳米级的栅极区域，然后淀积一层绝缘栅介质层，最后在栅区用电子束蒸发的方法形成栅金属电极。本发明利用纳米级栅宽的势垒调控和侧面极化减弱来耗尽GaN/AlGaN中的二维电子气以实现增强型器件，采用多层的二维结构避免了由于刻蚀FinFET损失的单位面积电流密度，通过多个导电沟道实现比普通方法更大的面电流密度。