法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-28
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N13/00 申请日:20160713
实质审查的生效
2016-11-30
公开
公开
机译: 使用聚焦光照射的基板制造半导体薄膜的方法,使用聚焦光照射的基板制造半导体薄膜的装置,使用聚焦光照射的基板选择性地生长半导体薄膜的方法以及使用聚焦光照射的基板的半导体元件
机译: 其中一些或全部层间阴离子保留至少一种硅基,磷基和硼基多聚含氧离子和其他阴离子的水滑石基化合物,其制备方法和农用膜均使用红外吸收剂和农用膜包含红外线吸收剂
机译: 激光照射台,激光照射光学系统,激光照射装置,激光照射方法以及半导体装置的制造方法