公开/公告号CN106117602A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州众成纳米科技有限公司;
申请/专利号CN201610307109.9
发明设计人 殷明;
申请日2016-05-10
分类号C08K9/00(20060101);C08K9/06(20060101);C08K9/04(20060101);C08K7/24(20060101);C08L77/02(20060101);C08L51/06(20060101);C08L27/16(20060101);C08L67/02(20060101);
代理机构11278 北京连和连知识产权代理有限公司;
代理人田方正
地址 225000 江苏省扬州市广陵产业园创业路20号3号楼
入库时间 2023-06-19 00:50:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C08K9/00 申请公布日:20161116 申请日:20160510
发明专利申请公布后的驳回
2016-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C08K9/00 申请日:20160510
实质审查的生效
2016-11-16
公开
公开
机译: 高纯度半导电SWCNT和伪立方In2O3基异质结构材料及其制备方法
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