具有背栅、无穿通且具有减小的鳍高度变化的FinFET

摘要

一种FinFET，其具有在该FinFET的鳍沟道之下的背栅和阻挡层，其中该阻挡层具有比该背栅的带隙更大的带隙。该阻挡层用作该鳍沟道下的蚀刻停止层，从而导致减小的鳍沟道高度变化。该背栅提供改进的电流控制。由于该较高带隙的阻挡层而有较少穿通。该FinFET还可包括毗邻源极/漏极扩散的深嵌式应力源，这些深嵌式应力源穿过该高带隙阻挡层。