电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法

摘要

本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物；在第一硅氧化物上表面覆盖一层光刻胶；之后进行光刻过程，在光刻胶上刻蚀出电容沟槽的开口；使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽；对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅；在重掺杂硅上生长第二硅氧化物；在第二硅氧化物之上、电容沟槽中，生长多晶硅。在相同的沟槽深度下，本发明所述的方法制作出来的电容结构，电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。