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International conference on semiconductor technology
International conference on semiconductor technology
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1.
FORMING CONDITION AND SCHOTTKY CONTACT PROPERTY OF TITANIUM SILICIDES IN VLSI
机译:
在VLSI中的硅化钛的形成条件和肖特基接触性能
作者:
JIANG Ju-xiao
;
HUANG Rong-xu
;
ZHENG Guo-xiang
;
Zong Xiang-fu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
2.
Using Ta and SiO_2 with Nitrogen Implantation as a Novel Two-layer Barrier for Copper Metallization
机译:
使用TA和SiO_2具有氮气植入作为一种用于铜金属化的新型双层屏障
作者:
Zhang Guohai
;
Xia Yang
;
Qian He
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
3.
Front- to back-wafer overlay accuracy in substrate transfer technologies
机译:
基板传输技术的前后晶圆覆盖精度
作者:
H. W. van Zeijl
;
J. Slabbekoorn
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
4.
Polycrystalline silicon on glass by field enhanced crystallization of amorphous silicon
机译:
玻璃上的多晶硅通过田间增强了无定形硅的结晶
作者:
Jin Jang
;
Kyu Sik Cho
;
Kyung Ho Kim
;
Seong Jin Park
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
5.
SAL 601 chemically amplified negative resist for developing 0.18μm CMOS circuits
机译:
SAL 601化学放大负抗蚀剂,用于开发0.18μmCMOS电路
作者:
Ming Liu
;
Bao-qin Chen
;
Qiu-xia Xu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
6.
A Novel Substrate P-N Junction Isolation for RF Integrated Inductors on Silicon
机译:
用于硅RF综合电感器的新型基板P-N结隔离
作者:
Liu Chang
;
Chen Xueliang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
7.
PLASMA ETCH PROCESSING FOR SHALLOW TRENCH ISOLATION MICROCONTOUR CONTROL
机译:
浅沟槽隔离微观测量控制等离子体蚀刻处理
作者:
P. Werbaneth
;
J. Almerico
;
L. Jerde
;
M. Rousey-Seidel
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
8.
Temporal response modeling and analysis of heterobarrier metal-semiconductor-metal photodetector
机译:
异形金属半导体 - 金属光电探测器的时间响应建模与分析
作者:
S. V. Averine
;
Y. C. Chan
;
Y. L. Lam
;
O. Bondarenko
;
R. Sachot
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
9.
Electrical characteristics of thermaly stable ZrO_xN_y by NH_3 annealing of ZrO_2
机译:
NH_3 ZrO_2的NH_3退火的热稳定ZrO_XY电气特性
作者:
Sanghun Jeon
;
Chel-Jong Choi
;
Tae-Yeon Seong
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
10.
Role of hot holes in the isotope effect and mechanisms for MOS transistors
机译:
热孔在同位素效应和MOS晶体管机制的作用
作者:
Zhi Chen
;
Pradeep Garg
;
Vijay Singh
;
Sundar Chetlur
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
11.
Deposition of SiCOF/a-C:F Double-Layer Films by PECVD for Low Dielectric Constant Interconnection Dielectrics
机译:
通过PECVD沉积SiCOF / A-C:F双层膜,用于低介电常数互连电介质
作者:
Shi-Jin Ding
;
Qin-Quan Zhang
;
David Wei Zhang
;
Ji-Tao Wang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
12.
Advanced gate etching: stopping on very thin gate oxides
机译:
高级栅极蚀刻:在非常薄的栅极氧化物上停止
作者:
Thorsten Lill
;
Stephen Yuen
;
Fred Ameri
;
Jitske Kretz
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
13.
Effect of thermal anneal on the electrical characteristics of Ni/4H-SiC SBD
机译:
热退火对Ni / 4H-SiC SBD电气特性的影响
作者:
Yuming Zhang
;
Yimen Zhang
;
J. H. Zhao
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
14.
Advanced deep silicon etch technology for trench capacitor, isolation trench, MEMS and MOEMS applications
机译:
用于沟槽电容,隔离沟槽,MEMS和MOEMS应用的先进的深硅蚀刻技术
作者:
A. H. Khan
;
Ajay Kumar
;
Sharma Pamarthy
;
Morris Li
;
Joan Wang
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
15.
COPPER CMP FOR DUAL DAMASCENE TECHNOLOGY: SOME CONSIDERATIONS ON THE MECHANISM OF CU REMOVAL
机译:
双层镶嵌技术的铜CMP:关于Cu去除机制的一些考虑因素
作者:
David Wei
;
Yehiel Gotkis
;
Hugh Li
;
Stephen Jew
;
Joseph Li
;
Sri Srivatsan
;
Joseph Simon
;
John M. Boyd
;
KY Ramanujam
;
Rodney Kistler
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
16.
Outlook on realization of 130~100nm lithography
机译:
实现130〜100nm光刻的展望
作者:
Kouichirou Tsujita
;
Masahide Inuishi
;
Tadashi Nishimura
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
17.
Acceptance sampling schemes for Cat1 chip EFR inspection
机译:
接受CAT1芯片EFR检查的采样方案
作者:
Eugene Wang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
18.
Using Ta and SiO_2 with Nitrogen Implantation as a Novel Two-layer Barrier for Copper Metallization
机译:
使用TA和SiO_2具有氮气植入作为一种用于铜金属化的新型双层屏障
作者:
Zhang Guohai
;
XiaYang
;
Qian He
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
19.
Activation methods for electroless copper deposition of seeding layer for ULSI copper interconnect metallization
机译:
ULSI铜互连金属化播种层无电铜沉积的活性方法
作者:
M S Tse
;
K T Tan
;
W L Goh
;
K Y Liu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
20.
PLASMA CURING OF ULTRA LOW-K POROUS SILICON DIOXIDE FILMS
机译:
超低k多孔二氧化硅薄膜的等离子体固化
作者:
Qingyuan Han
;
Wei Chen
;
Carlo Waldfried
;
Orlando Escorcia
;
Todd J. Bridgewater
;
Eric S. Moyer
;
Ivan Berry
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
21.
Process Optimization and Resolution Study on Microstepping Technique
机译:
微型电气技术的过程优化与解决研究
作者:
Zhijian Lu
;
Gerhard Kunkel
;
Timothy Brunner
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
22.
Investigation of pad-wafer contact pressure in chemical mechanical polishing with finite element analysis
机译:
有限元分析的化学机械抛光垫晶圆接触压力研究
作者:
Qing Liu
;
Ben Wang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
23.
ETCHING MECHANISM OF PZT THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED Cl_2/Ar PLASMA WITH ADDITIVE CF_4 GAS
机译:
具有添加性CF_4气体的电感耦合CL_2 / AR血浆中PZT薄膜的蚀刻机理
作者:
Myoung Gu Kang
;
Chang-Il Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
24.
Real-time observation of surface stress during initial ozone-oxidation of Si(100)
机译:
Si(100)初始臭氧氧化过程中表面应力的实时观察
作者:
Akira Kurokawa
;
Shingo Ichimura
;
Tetsuya Narushima
;
Akiko N. Itakura
;
Masahiro Kitajima
;
Takaya Kawabe
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
25.
Layer-by-layer Oxidation of Silicon
机译:
晶体硅层逐层氧化
作者:
Takeo Hattori
;
Kensuke Takahashi
;
Hiroshi Nohira
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
26.
ADVANCED DEEP SILICON ETCH TECHNOLOGY FOR TRENCH CAPACITOR, ISOLATION TRENCH, MEMS AND MOEMS APPLICATIONS
机译:
用于沟槽电容,隔离沟槽,MEMS和MOEMS应用的先进的深硅蚀刻技术
作者:
A. H. Khan
;
Ajay Kumar
;
Sharma Pamarthy
;
Morris Li
;
Joan Wang
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
27.
WAFER CHARGING DAMAGE IN IC PROCESS EQUIPMENT
机译:
IC工艺设备中的晶圆充电损坏
作者:
Wes Lukaszek
;
Wes Lukaszek
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
28.
Photoinduced charge generation and ultrafast response in nanocomposite Si/SiO_2 thin films
机译:
纳米复合Si / SiO_2薄膜的光抑制电荷产生和超快响应
作者:
H. Liu
;
A. Mahfoud
;
V. Vikhnin
;
S. Avaneseyn
;
W. Jia
;
G. A. Nery
;
O. Resto
;
Luis F. Fonseca
;
Zvi S. Weisz
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
29.
Characterization of circulated chemical-mechanical polishing slurry particles using two analysis methods
机译:
使用两种分析方法表征循环化学机械抛光浆料颗粒
作者:
Mark R. Litchy
;
Kristi Nicholes
;
Donald C. Grant
;
Rakesh K. Singh
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
30.
Contact processes for advanced dram and CMOS logic devices
机译:
高级DRAM和CMOS逻辑设备的联系进程
作者:
J. Gambino
;
K. Bandy
;
J. Chapple-Sokol
;
R. Conti
;
D. Dobuzinsky
;
R. Iggulden
;
M. Maldei
;
K. Peterson
;
T. Rupp
;
T. Stamper
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
31.
Plasma curing of ultra low-k porous silicon dioxide films
机译:
超低k多孔二氧化硅薄膜的等离子体固化
作者:
Qingyuan Han
;
Wei Chen
;
Carlo Waldfried
;
Orlando Escorcia
;
Todd J. Bridgewater
;
Eric S. Moyer
;
Ivan Berry
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
32.
Technology trend of flash memory
机译:
闪存的技术趋势
作者:
Fujio Masuoka
;
Tetsuo Endoh
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
33.
Forming condition and schottky contact property of titanium silicides in VLSI
机译:
在VLSI中的硅化钛的形成条件和肖特基接触性能
作者:
Jiang Ju-xiao
;
Huang Rong-xu
;
Zheng Guo-xiang
;
Zong Xiang-fu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
34.
Theory of Si oxide growth rate taking account of interfacial Si emission
机译:
思氧化物生长速度理论考虑界面SI排放
作者:
H. Kageshima
;
K. Shiraishi
;
M. Uematsu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
35.
ABRASIVE-FREE COPPER CMP COMPOSITION PROVIDING RESIDUE-FREE AND LOW DISHING/EROSION SURFACE
机译:
无磨料的铜CMP组合物提供无残基和低剥离/侵蚀表面
作者:
Lizhong Sun
;
Stan Tsai
;
Shijian Li
;
Feng Q. Liu
;
Liang Chen
;
Wei-Yung Hsu
;
Fritz Redeker
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
36.
Dry etching characteristics of CeO_2 thin films using CF_4/Ar chemistries
机译:
CEO_2薄膜的干蚀刻特性使用CF_4 / AR化学物质
作者:
Chang-Seok Oh
;
Chang-Il Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
37.
Angular integrity challenge for ion implantation processes in advanced CMOS devices
机译:
高级CMOS器件中的离子植入过程的角度完整性挑战
作者:
Jian-Yue Jin
;
Ukyo Jeong
;
John Weeman
;
Sandeep Mehta
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
38.
Polymer deposition phenomenon during the oxide etch process
机译:
氧化物蚀刻过程中的聚合物沉积现象
作者:
Lei Li
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
39.
PROCESS STABILITY STUDY AND CONTROL IN ORGANIC BARC ETCHING
机译:
工艺稳定性研究与控制有机BARC蚀刻
作者:
Songlin Xu
;
Arthur Chen
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
40.
N type dopant activation behaviors of poly Si_(1-x)Ge_x with Ge contents and activation temperature
机译:
n具有GE内容和激活温度的Poly Si_(1-x)Ge_x的掺杂剂激活行为
作者:
S.-K. Kang
;
J. J. Kim
;
H. B. Kang
;
C. W. Yang
;
T. H. Ahn
;
I. S. Yeo
;
T. W. Lee
;
Y. H. Lee
;
D.-H. Ko
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
41.
QUANTIFY THE MASK CD ERROR EFFECT ON GATE CD CONTROL
机译:
对栅极CD控制的掩模CD误差效应量化
作者:
Sandra Zheng
;
Shangting Detweiler
;
Simon Chang
;
Mark Boehm
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
42.
LOCALIZED ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF COPPER MICROSTRUCTURES (II): ARTIFACTS OF ELECTRODE-TIP GEOMETRY
机译:
铜微结构的局部电化学沉积(II):电极尖端几何形状的伪影
作者:
R.A. Said
;
R.A. Said
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
43.
An improved analytic collisionless sheath model
机译:
一种改进的分析碰撞鞘模型
作者:
Ming Yang
;
Yungui Gong
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
44.
CURRENT STATUS OF COPPER MULTILEVEL INTERCONNECTS
机译:
铜多级互连的当前状态
作者:
K.Ueno
;
M. Iguchi
;
T. Yokoyama
;
N. Oda
;
H. Miyamoto
;
Y. Matsubara
;
T. Horiuchi
;
S. Saito
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
45.
Gate dielectric thickness control for high-k and conventional gate stacks in the presence of chemical oxides from pre-gate clean processes for sub-180 nm MOSFET applications
机译:
用于高k和常规栅极堆叠的栅极介电厚度控制在来自栅极清洁工艺的化学氧化物的存在下,用于SUB-180 NM MOSFET应用
作者:
Jay J. Guan
;
Glenn W. Gale
;
Gennadi Bersuker
;
Renate Bergmann
;
Avinash Agarwal
;
Mike Jackson
;
Howard Huff
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
46.
LOCALIZED ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF COPPER MICROSTRUCTURES (I): MODELING OF STRUCTURE FORMATION
机译:
铜微结构的局部电化学沉积(i):结构形成建模
作者:
R.A. Said
;
M. Hussein
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
47.
Suppression of Borderless Contact Leakage by Improved Structures for Sub-0.12μ CMOS Device
机译:
通过改进的Sub-0.12μCMOS装置的结构抑制无边框接触泄漏
作者:
D. H. Kim
;
B. J. Hwang
;
J. H. Kim
;
S. B. Kim
;
J. I. Hong
;
J. W. Park
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
48.
ETCH SOLUTIONS FOR 0.10 μm DEVICE INTEGRATION OF SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES
机译:
蚀刻溶液浅沟槽隔离结构的0.10μm液面集成
作者:
Wei Liu
;
Stephen Yuen
;
Scott Williams
;
David Mui
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
49.
Copper oxide removal by in-situ plasma pre-treatment for improved copper to dielectric barrier adhesion
机译:
通过原位等离子体预处理去除氧化铜,以改善铜到介电阻挡粘附
作者:
Y. K. Lim
;
W L. Goh
;
M. S. Tse
;
T. Y. Tse
;
C. S. Seet
;
W. Lu
;
Randall C. L. Cha
;
Ricky Adebanjo
;
Kurt G. Steiner
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
50.
SURFACE CHEMISTRY OF SILICON IN FLORINE-BASED SOLUTION AND IT'S EFFECT ON SILICIDE FILM PROPERTY
机译:
基于氟硅溶液中硅的表面化学及其对硅化物膜性能的影响
作者:
Yoshihiro Sugita
;
Yoshihiro Sugita
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
51.
Etch solutions for 0.10 μm device integration of shallow trench isolation structures
机译:
蚀刻溶液浅沟槽隔离结构的0.10μm液面集成
作者:
Wei Liu
;
Stephen Yuen
;
Scott Williams
;
David Mui
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
52.
LOCALIZED ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF COPPER MICROSTRUCTURES (III): CONTROLLING SHAPE FORMATION
机译:
铜微观结构的局部电化学沉积(III):控制形状形成
作者:
R.A. Said
;
R.A. Said
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
53.
CHARACTERIZATION OF CeO_2 THIN FILMS DEPOSITED BY REACTIVE SPUTTERING PROCESS UPON O_2 ANNEALING
机译:
反应溅射工艺CEO_2薄膜的表征在O_2退火时沉积
作者:
Jung-Ho Yoo
;
Seok-Woo Nam
;
Dae-Hong Ko
;
Ja-Hum Ku
;
Siyoung Choi
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
54.
Investigations of silicide block etch for mixed signal fabrication
机译:
混合信号制造的硅化物块蚀刻的研究
作者:
Hong Lin
;
Robi Banerjee
;
David Daniel
;
Jan Fure
;
Doug Skinner
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
55.
Lessons learned through production application of advanced process control (APC)
机译:
通过先进过程控制(APC)的生产应用来学习经验教训
作者:
Nathan Atkins
;
Alan Weber
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
56.
Cell array design of stacked-surrounding gate transistor (S-SGT) DRAM for small array noise and ultra-high density DRAM
机译:
用于小阵列噪声和超高密度DRAM的堆叠围绕栅极晶体管(S-SGT)DRAM的单元阵列设计
作者:
Tetsuo Endoh
;
Hiroki Nakamura
;
Hiroshi Sakuraba
;
Fujio Masuoka
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
57.
POLYMER DEPOSITION PHENOMENON DURING THE OXIDE ETCH PROCESS
机译:
氧化物蚀刻过程中的聚合物沉积现象
作者:
Lei Li
;
Lei Li
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
58.
Study on grown-in defects in large-diameter CZ-Si
机译:
大直径CZ-Si的成长缺陷研究
作者:
Qiuyan Hao
;
Caichi Liu
;
Yangxian Li
;
Binyan Ren
;
Haiyun Wang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
59.
Structure optimization of metal-semiconductor-metal ultra-violet detector on aluminum gallium nitride
机译:
氮化铝镓金属半导体 - 金属超紫探测器的结构优化
作者:
Wenhua Gu
;
Soo Jin Chua
;
Xin Hai Zhang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
60.
EFFECT OF CHARGED F SPECIES ON PLASMA CHARGE IN RF CHAMBERS
机译:
带电F物种对RF腔室等离子体电荷的影响
作者:
S. Q. Gu
;
R. Fujimoto
;
J. Ross
;
J. Seaton
;
H. Xu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
61.
ELECTROCHEMICAL INVESTIGATIONS OF SEMICONDUCTOR SILICON WAFERS DURING WET CLEANING AND CMP PROCESSES
机译:
湿式清洗过程中半导体硅晶片的电化学研究
作者:
Xuan Cheng
;
Chi Gu
;
Chang-Jian Lin
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
62.
A NOVEL ELECTROLESS COPPER PLATING TECHNIQUE BY REPLACING POLY-SILICON FOR ULSI
机译:
用Ulsi代替Poly-Silicon的一种新型化学镀铜技术
作者:
Don-Gey Liu
;
Ming-Shih Tsai
;
Wen Luh Yang
;
Yu-Ming Chen
;
Kuang-Yang Liao
;
Chin-Hao Yang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
63.
Monte carlo simulation of etch stop phenomina in high-density plasma reactor
机译:
高密度等离子体反应器中蚀刻停止现象的蒙特卡罗模拟
作者:
Ming Yang
;
Yungui Gong
;
Tom Ambrose
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
64.
Electromigration in on-chip single/dual damascene Cu interconnections
机译:
片上单/双镶嵌Cu互连的电迁移
作者:
C.-K Hu
;
L. Gignac
;
E. Liniger
;
R. Rosenberg
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
65.
Copper CMP for dual damascene technology: some considerations on the mechanism of Cu removal
机译:
双层镶嵌技术的铜CMP:关于Cu去除机制的一些考虑因素
作者:
David Wei
;
Yehiel Gotkis
;
Hugh Li
;
Stephen Jew
;
Joseph Li
;
Sri Srivatsan
;
Joseph Simon
;
John M. Body
;
K Y Ramanujam
;
Rodney Kistler
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
66.
Rapid thermal annealing induced boron penetration in MOS transistors
机译:
在MOS晶体管中快速热退火诱导硼渗透
作者:
Jun Qian
;
Yeow Meng Teo
;
Kelvin Low
;
Rajan Rajgopal
;
Chang Fu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
67.
The Simulation and Analysis of the SVX Technique for High-Voltage Devices
机译:
高压装置SVX技术的仿真与分析
作者:
Feihong Huang
;
Rui Wu
;
Guoxiang Zheng
;
Xiangfu Zong
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
68.
A novel electroless copper plating technique by replacing poly-silicon for ULSI
机译:
用Ulsi代替Poly-Silicon的一种新型化学镀铜技术
作者:
Don-Gey Liu
;
Ming-Shih Tsai
;
Wen Luh Yang
;
Yu-Ming Chen
;
Kuang-Yang Liao
;
Chin-Hao Yang
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
69.
DRY ETCHING CHARACTERISTICS OF CeO_2 THIN FILMS USING CF_4/Ar CHEMISTRIES
机译:
CEO_2薄膜的干蚀刻特性使用CF_4 / AR化学物质
作者:
Chang-Seok Oh
;
Chang-Il Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
70.
Area controlled oxidation of silicon by hyperthermal collimated ozone beam
机译:
通过超热准直臭氧束控制硅控制氧化
作者:
Tetsuya Nishiguchi
;
Yoshiki Morikawa
;
Mitsuru Kekura
;
Masaharu Miyamoto
;
Hidehiko Nonaka
;
Shingo Ichimura
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
71.
Dopant effects on TaO_x-based high K dielectric films
机译:
掺杂对Tao_x的高k电介质膜的影响
作者:
Yue Kuo
;
J.-Y. Tewg
;
J. Donnelly
;
J. Lu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
72.
High-k gate dielectric deposition by electron cyclotron resonance sputtering
机译:
通过电子回旋共振溅射高k栅极介电沉积
作者:
Kunio Saito
;
Yoshito Jin
;
Takao Amazawa
;
Toshiro Ono
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
73.
Localized electrochemical deposition of copper microstructures (II): artifacts of electrode-tip geometry
机译:
铜微结构的局部电化学沉积(II):电极尖端几何形状的伪影
作者:
R. A. Said
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
74.
FN-stress-induced excessive pre-tunneling current in thin SiO_2 films
机译:
Fn-Colary-end引起薄SiO_2薄膜的过度预隧道电流
作者:
Chang Q. Sun
;
T. P. Chen
;
Y. L. Luo
;
S. Fung
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
75.
Integration of a CMOS preamplifier with a PZT resonant frequency microsensor
机译:
使用PZT谐振频率微传感器集成CMOS前置放大器
作者:
Kyeonglan Rho
;
Shayne Zurn
;
David Markus
;
Dennis Polla
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
76.
Performance of narrow aluminium lines without TiN barrier layers
机译:
没有锡屏障层的窄铝线的性能
作者:
X. J. Ning
;
H. Kitahara
;
E. W. Kiewra
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
77.
Swiching of breakdown conduction in ultra-thin gate oxide
机译:
在超薄栅极氧化物中切换击穿导通
作者:
T. P. Chen
;
M. S. Tse
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
78.
SAL 601 CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST FOR DEVELOPING 0.18μM CMOS CIRCUITS
机译:
SAL 601化学放大负抗蚀剂,用于开发0.18μmCMOS电路
作者:
Ming Liu
;
Bao-qin Chen
;
Qiu-xia Xu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
79.
Effect of charged F species on plasma charge in RF chambers
机译:
带电F物种对RF腔室等离子体电荷的影响
作者:
S. Q. Gu
;
R. Fujimoto
;
J. Ross
;
J. Seaton
;
H. Xu
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
80.
THICK METAL CORROSION CONTROL
机译:
厚金属腐蚀控制
作者:
Rui Chen
;
Ted Mayer
;
Milo D. Koretsky
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
81.
MODEL BASED OPTICAL PROXIMITY CORRECTION FOR 0.12UM MEMORY PROCESS WITH ARF LITHOGRAPHY
机译:
基于模型的ARF光刻012um存储过程的光学接近校正
作者:
Yuping Cui
;
Franz Zach
;
Shahid Butt
;
Donald Samuels
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
82.
The oxide loss control in oxygen and fluorine plasma during FE resist ash and clean
机译:
Fe抗蚀剂灰和清洁期间氧气和氟等离子体中的氧化物损失控制
作者:
S. Q. Gu
;
M. Pulitzer
;
S. Bjorklund
;
J. Seaton
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
83.
POST-ECP ANNEALING FOR ADVANCED COPPER INTERCONNECT APPLICATION
机译:
高级铜互连应用后ECP退火
作者:
Y. Zhang
;
L.T. Koh
;
C.Y. Li
;
H. Liu
;
G.Z. You
;
J.J. Wu
;
J. Xie
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
84.
Silicon nitride etching with severe topography in sub-0.25 micron technology
机译:
亚氮化硅蚀刻具有严重的地形在0.25微米技术中
作者:
Jie Yu
;
Wen Jun Liu
;
Chiew Wah Yap
;
Liang Moh Ng
;
Yelehanka R. Pradeep
;
Pin Hian Lee
;
Alok Jain
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
85.
THIN FILM PREPARATION OF NANOPOROUS SILICA FOR ULSI APPLICATIONS
机译:
ULSI应用纳米多孔二氧化硅薄膜制备
作者:
Fu-Ming Pan
;
An-Chung Cho
;
Chia-Min Yang
;
Kuei-Jung Chao
;
Tseng-Gwang Tsai
;
Bo-Wei Wu
;
Li-Der Chao
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
86.
CMP related/CMP revealed short- and long-range integration interactions in copper dual damascene technology
机译:
CMP相关/ CMP揭示了铜双镶嵌技术的短期和远程集成相互作用
作者:
Yehiel Gotkis
;
Rodney Kistler
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
87.
INVESTIGATIONS OF SILICIDE BLOCK ETCH FOR MIXED SIGNAL FABRICATION
机译:
混合信号制造的硅化物块蚀刻的研究
作者:
Hong Lin
;
Robi Banerjee
;
David Daniel
;
Jan Fure
;
Doug Skinner
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
88.
Dry etching characteristics of CeO{sub}2 thin films using CF{sub}4/Ar chemistries
机译:
CF {Sub} 4 / AR化学物质的CEO {Sub} 2薄膜的干蚀刻特性
作者:
Chang-Seok Oh
;
Chang-Il Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
89.
Characterization of CeO_2 thin films deposited by reactive sputtering process upon O_2 annealing
机译:
反应溅射工艺CEO_2薄膜的表征在O_2退火时沉积
作者:
Jung-Ho Yoo
;
Seok-Woo Nam
;
Dae-Hong Ko
;
Ja-Hum Ku
;
Siyoung Choi
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
90.
Ti SALICIDE technology using Ge implantation for fully-depleted SOI CMOS devices
机译:
TI Salicide技术使用GE植入全耗尽SOI CMOS器件
作者:
Sun Hai-feng
;
Liu Xin-yu
;
Hai Chao-he
;
Xu Qiu-xia
;
Wu De-xin
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
91.
Generalized ESD model for selective sidewall passivation
机译:
选择性侧壁钝化的广义ESD模型
作者:
Nam-Hun Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
92.
BEOL today and tomorrow: can we turn ITRS'S 'no known solutions' to 'novel nano solutions'?
机译:
今天和明天的BEOL:我们可以将ITRS的“没有已知的解决方案”转到“新纳米解决方案”?
作者:
M. Engelhardt
;
G. Schindler
;
C. Werner
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
93.
THE ETCHING PROPERTIES OF SrBi_2Ta_2O_9 THIN FILMS IN CF_4/Ar INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
机译:
CF_4 / AR电感耦合等离子体中SRBI_2TA_2O_9薄膜的蚀刻性能
作者:
Dong-Pyo Kim
;
Chang-Il Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
94.
Study Mechanism and Solution of Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LP-CVD) Silicon Nitride (Si_3N_4) Haze
机译:
低压化学气相沉积(LP-CVD)氮化硅(Si_3N_4)雾度的研究机理及溶液
作者:
W. J. Liu
;
K. L. Guan
;
H. H. Chang
;
K. S. Chiou
;
H. W. Chen
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
95.
Production considerations for III-V semiconductor manufacturing
机译:
III-V半导体制造的生产考虑
作者:
Mark Rousey-Seidel
;
Y. K. Cho
;
Stephen Ross
;
Les Jerde
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
96.
THE OXIDE LOSS CONTROL IN OXYGEN AND FLUORINE PLASMA DURING FE RESIST ASH AND CLEAN
机译:
Fe抗蚀剂灰和清洁期间氧气和氟等离子体中的氧化物损失控制
作者:
S. Q. Gu
;
M. Pulitzer
;
S. Bjorklund
;
J. Seaton
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
97.
Multi-scale finite element model for CMP
机译:
CMP的多尺度有限元模型
作者:
Andrew T. Kim
;
John A. Tichy
;
Timothy S. Cale
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
98.
Using Ta and SiO{sub}2 with nitrogen implantation as a novel two-layer barrier for copper metallization
机译:
使用Ta和SiO {Sub} 2具有氮气植入作为铜金属化的新型双层屏障
作者:
Zhang Guohai
;
Xia Yang
;
Qian He
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
99.
Influence of etch process sequence on CHARM-2 wafer in magnetically enhanced RIE etcher
机译:
蚀刻工艺序列对磁力增强型RIE蚀刻器中Charm-2晶片的影响
作者:
Makoto Kobayashi
;
Hiromi Sakima
;
Eiichi Nishimura
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
100.
The etching properties of SrBi_2Ta_2O_9 thin films in CF_4/Ar inductively coupled plasma
机译:
CF_4 / AR电感耦合等离子体中SRBI_2TA_2O_9薄膜的蚀刻性能
作者:
Dong-Pyo Kim
;
Chang-Il Kim
会议名称:
《International conference on semiconductor technology》
|
2001年
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