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一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具

摘要

本发明提供一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具,包括:绘制器件电学参数与结温的关系曲线;绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线;对瞬态热阻抗曲线进行数值运算得到器件的积分结构函数和微分结构函数;对照积分结构函数和微分结构函数,求取接触热阻值。测试夹具由三块水平方向基板和两根竖直方向立柱组成;在上基板和中基板间纵向对称设有绝缘板和散热基板;在中基板和下基板间依次安装有压力均布装置、传感器、压力维持板和压力施加装置;本发明提供的测量方法消除了因热电偶带来的测量误差,测量结果真实可靠,测量方法简便高效。

著录项

  • 公开/公告号CN105911447A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610258361.5

  • 发明设计人 邓二平;张朋;赵志斌;黄永章;

    申请日2016-04-22

  • 分类号G01R31/26(20140101);G01R1/04(20060101);

  • 代理机构11271 北京安博达知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐国文

  • 地址 102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内

  • 入库时间 2023-06-19 00:27:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20160422

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    公开

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